STP26N65DM2技术参数详情：
STP26N65DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，核心优势在于实现了650V高漏源电压（Vdss）与低导通电阻（Rds(on)）的出色结合，在10A、10V条件下导通电阻典型值仅为190毫欧，有效降低了导通损耗。
同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为35.5nC，有助于降低开关损耗并简化驱动设计，提升系统在高频工作下的效率。器件采用TO-220封装，在壳温25°C时连续漏极电流（Id）达20A，最大功耗170W，工作温度范围宽（-55°C ~ 150°C TJ），为高可靠性电源和功率转换应用提供了坚实的硬件基础。
- 型号:STP26N65DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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