STP10P6F6

STP10P6F6是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件基于先进的STripFET VI技术，核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。

其关键参数包括60V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）处理能力。在10V Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值低至160毫欧（@5A），能显著降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值6.4nC @10V）和输入电容确保了高速、高效的开关操作，有助于提升整体电源转换效率并简化驱动设计。

该器件设计稳健，支持高达175°C的结温，功率耗散达30W（Tc），适用于要求高可靠性的工业级中功率开关应用。

• 型号:STP10P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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