STK38N3LLH5技术参数详情：
STK38N3LLH5是ST意法半导体推出的一款采用PolarPak封装的N沟道功率MOSFET，属于其高性能STripFET V产品系列。该器件设计用于在30V的漏源电压下处理高达38A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs条件下典型值仅为1.55毫欧，这能显著降低功率损耗并提升整体系统效率。
此外，该MOSFET具备优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）低至41.7nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。器件支持宽范围的工作温度（-55°C至150°C结温）和逻辑电平驱动兼容性（Vgs(th)最大2.5V），使其成为空间紧凑、要求高可靠性的中低压、大电流功率转换和电机控制应用的理想选择。
- 型号:STK38N3LLH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PolarPak
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 38A POLARPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.55 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4640 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PolarPak
- 封装/外壳:PolarPak
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