STK800技术参数详情：
STK800是ST意法半导体推出的一款采用PolarPak封装的N沟道功率MOSFET，隶属于高性能STripFET产品系列。该器件核心优势在于其优异的电气性能，在30V漏源电压（Vdss）下可承载20A连续电流，并在10V栅极驱动下实现低至7.8毫欧的导通电阻，有效降低了功率损耗。
其设计注重开关效率与驱动兼容性，最大栅极电荷（Qg）仅为13.4nC，有助于提升开关频率并减少损耗，而2.5V的栅极阈值电压使其易于被标准逻辑电路驱动。该MOSFET采用表面贴装形式，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于高功率密度且对热管理有要求的应用场景。
- 型号:STK800
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PolarPak
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PolarPak
- 封装/外壳:PolarPak
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