STL100N12F7技术参数详情：
STL100N12F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在120V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通电阻（典型值7.5mΩ @10V, 9A）与栅极电荷（最大值46nC @10V）的优化组合，旨在最大限度地降低传导与开关损耗。
其连续漏极电流（Id）在壳温条件下可达100A，结合136W（Tc）的功率耗散能力和宽达-55°C至175°C的结温工作范围，确保了在高功率应用中的可靠运行。器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，为空间紧凑的高效率电源转换、电机驱动及各类工业电源系统提供了高功率密度的解决方案。
- 制造商产品型号：STL100N12F7
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET F7
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：120V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 9A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：46nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3300pF @ 60V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：136W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PowerFlat（5x6）
- 现在可以订购STL100N12F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
