STP2NK90Z

STP2NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其高达900V的漏源击穿电压（Vdss）与优化的动态参数，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术规格突出了高效率与快速开关能力。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至6.5Ω @ 1.05A，有助于减少导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg(max)=27nC）和输入电容（Ciss(max)=485pF）确保了快速的开关瞬态，降低了开关损耗。器件支持2.1A的连续漏极电流和70W的功率耗散能力，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业级环境。

• 型号:STP2NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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