STL100N8F7技术参数详情：
STL100N8F7是ST意法半导体STripFET产品系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅技术，在80V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够支持高达100A（Tc）的连续漏极电流，展现出强大的功率处理能力。
其核心电气优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为6.1毫欧，配合46.8nC的较低栅极电荷（Qg @ 10V），共同实现了优异的导通与开关损耗平衡。器件采用热性能出色的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在高功率密度应用中的可靠性与稳定性。
- 型号:STL100N8F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.1 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3435 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），120W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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