STF23NM60ND

STF23NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和19.5A（T_C）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通与开关性能上。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至180毫欧（@10A），能显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g典型值70nC @10V）有助于实现高效的快速开关，减少驱动损耗，提升系统整体能效。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等高要求应用的理想选择。

• 型号:STF23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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