STL105DN4LF7AG技术参数详情：
STL105DN4LF7AG是ST意法半导体基于STripFET F7技术开发的汽车级（AEC-Q101）双N沟道功率MOSFET阵列。该器件在10V栅极驱动下提供低至4.5毫欧的典型导通电阻，并支持40A的连续漏极电流与40V的漏源电压，旨在实现高效率与低功耗。
其优化的动态参数，包括27.5nC的栅极电荷和1594pF的输入电容，确保了出色的开关性能。结合-55°C至175°C的宽结温工作范围及表面贴装封装，该器件为严苛环境下的高可靠性应用提供了稳健的解决方案。
- 型号:STL105DN4LF7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1594pF @ 25V
- 功率 - 最大值:94W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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