STL105NS3LLH7技术参数详情：
STL105NS3LLH7是ST意法半导体基于STripFET VII技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用PowerFlat（5x6）封装，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够支持高达105A（Tc）的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型3.9毫欧 @ 10V）与极小的栅极电荷（最大13.7nC @ 4.5V）。
这些参数共同构成了其高效能表现的基础，使其在导通损耗和开关速度之间取得了出色平衡。器件设计适用于-55°C至150°C的宽结温范围，最大功率耗散为62.5W，确保了在 demanding 应用环境中的稳定运行。其特性使其成为中低压、大电流开关电源和功率转换应用的理想选择。
- 型号:STL105NS3LLH7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 105A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):105A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 13.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 1mA（最小）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2110 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 现在可以订购STL105NS3LLH7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
