STL10HN65M2技术参数详情：
STL10HN65M2是ST意法半导体生产的一款有源、单N沟道功率MOSFET。作为其晶体管产品线中的重要成员，该器件专为高效的功率开关应用而设计。
其核心优势体现在优异的电气性能平衡上，旨在实现低导通损耗与快速的开关特性。这些特性使其成为提升电源系统效率和功率密度的理想选择，适用于广泛的工业与消费电子领域。
- 制造商产品型号：STL10HN65M2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：POWER MOSFET
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：*
- 零件状态：有源
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 器件封装：-
- 现在可以订购STL10HN65M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
