STF9NK80Z技术参数详情：
STF9NK80Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于提供了800V的漏源击穿电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id）能力，适用于高压功率开关应用。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.2欧姆，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。
- 型号:STF9NK80Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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