STL10N65M2

STL10N65M2是意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用先进的MDmesh M2技术。该器件核心优势在于其650V的高耐压能力与低至1欧姆的导通电阻的出色结合，这有效降低了传导损耗，提升了系统效率。

此外，其极低的栅极电荷（10.3nC）和优化的电容特性确保了快速的开关性能，有助于减少开关损耗并支持更高频率的操作。器件采用热性能优异的PowerFlat HV表面贴装封装，在-55°C至150°C的宽结温范围内工作稳定，连续漏极电流可达4.5A（Tc），为紧凑型高压开关电源设计提供了可靠的解决方案。

• 型号:STL10N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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