STI360N4F6技术参数详情：
STI360N4F6是ST意法半导体基于STripFET VI技术开发的汽车级N沟道MOSFET。该器件设计用于高电流、高效率的开关应用，其核心优势在于极低的导通电阻与强大的电流处理能力。
在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.8毫欧（@60A），配合高达120A（Tc）的连续漏极电流，能显著降低功率系统中的传导损耗。器件采用I2PAK封装，支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，并符合AEC-Q101标准，满足汽车电子对可靠性的严苛要求。
- 型号:STI360N4F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-262（I2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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