STL117N4LF7AG

STL117N4LF7AG是意法半导体基于STripFET F7技术开发的一款车规级N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其极低的导通电阻（R_DS(on)典型值3.5mΩ）与高达119A的连续电流处理能力，这使其在导通状态下的功率损耗降至极低水平。

其设计兼顾了开关性能，具备较低的栅极电荷和输入电容，有利于实现高频高效开关。40V的漏源电压和-55°C至175°C的宽工作结温范围，配合PowerFlat封装出色的热特性，确保了其在严苛的汽车电子环境（如电机驱动、DC-DC转换器）中的可靠性与稳定性。

• 型号:STL117N4LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 119A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):119A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1780 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:94W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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