STL11N3LLH6

STL11N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerFlat表面贴装封装，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，可提供高达11A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其核心电气优势体现在极低的导通电阻（Rds(on)典型值7.5mΩ @ 10V, 5.5A）与较低的栅极电荷（Qg最大值17nC @ 4.5V），这共同确保了较低的传导损耗和快速的开关性能，有助于提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和优化的封装热设计，使其能够适应高功率密度和高可靠性的应用需求。

• 型号:STL11N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 24 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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