STP300NH02L技术参数详情：
STP300NH02L是ST意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其高达120A的连续漏极电流处理能力和极低的导通电阻，在10V驱动电压、80A电流条件下，其导通电阻最大值仅为2.2毫欧，能显著降低传导损耗。
其24V的漏源电压（Vdss）和优化的栅极电荷（Qg）特性，使其特别适用于需要高效开关和低损耗的场合。该MOSFET支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，并具备300W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性，是低压、大电流功率开关应用的经典解决方案。
- 型号:STP300NH02L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 24V 120A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:24 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7055 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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