STL11N6F7

STL11N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件采用先进的沟槽技术制造，在紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）表面贴装封装内，实现了60V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id）的额定值。

其核心优势在于极低的功率损耗。导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下最大仅为12毫欧，显著降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg最大17nC）确保了快速的开关速度，有效减少了开关损耗。这些特性共同提升了系统整体效率。

该MOSFET设计工作结温范围宽达-55°C至150°C，并具备良好的热性能，适合应用于空间受限且对效率和可靠性要求较高的领域，如DC-DC转换器、电机驱动和各类电源管理系统。

• 型号:STL11N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1035 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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