STL120N4F6AG技术参数详情：
STL120N4F6AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET F6技术，属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案。
其核心电气参数表现出色，具备40V的漏源电压（Vdss）和高达55A（Tc）的连续漏极电流能力。关键优势在于极低的导通电阻，最大值仅为3.6毫欧（@13A，10V），以及优化的开关特性，最大栅极电荷（Qg）为63nC（@10V），这共同确保了较低的导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。
器件采用热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，最大结温为175°C，功率耗散达96W（Tc），适合高密度、高可靠性的汽车电子与工业电源应用，如电机驱动和DC-DC转换器。
- 型号:STL120N4F6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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