STL12N60M2技术参数详情：
STL12N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M2产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和6.5A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：最大导通电阻低至495毫欧（@10V， 4.5A），有效降低了导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件采用热性能出色的表面贴装PowerFlat HV封装，最大功率耗散达52W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在各种环境下的高可靠性和稳定性。
- 型号:STL12N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:495 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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