STL12N60M6

STL12N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和6.4A的连续漏极电流（Id），确保了在离线式电源中的坚固性。

其技术优势体现在优异的动态性能上，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）典型值仅为490mΩ，这有助于显著降低导通损耗。器件采用热增强型的PowerFlat HV表面贴装封装，优化了散热与空间布局。这些特性使其成为提升开关电源、PFC电路及工业电源系统效率与功率密度的理想选择。

• 型号:STL12N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.4A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:490 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:452 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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