STL12N65M2

STL12N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用先进的PowerFlat HV封装，提供了紧凑的占板面积与出色的热管理能力。

其核心电气参数包括650V的漏源电压（V_dss）和5A的连续漏极电流（I_d），确保了在高压大电流应用中的稳健性。关键优势在于其低导通电阻（R_DS(on)典型值750mΩ @ 10V）与低栅极电荷（Q_g典型值12.5nC）的优化组合，这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效。宽工作结温范围（-55°C至150°C）进一步保障了其在恶劣环境下的可靠性。

• 型号:STL12N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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