STW13N80K5技术参数详情：
STW13N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低导通电阻（Rds(on)）的良好结合，在10V Vgs下典型值仅为450mΩ @ 6A，有效降低了导通损耗。
此外，其栅极电荷（Qg）最大值低至29nC，有助于实现快速的开关切换，从而减少开关损耗，提升系统整体效率。该器件额定连续漏极电流（Id）为12A（Tc），最大功耗190W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，为设计高可靠性、高效率的功率转换解决方案，如开关电源、PFC电路和电机驱动等，提供了坚实的硬件基础。
- 型号:STW13N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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