STL130N6F7技术参数详情：
STL130N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，在60V的漏源电压（Vdss）下，能够持续承载高达130A的电流（Tc条件），其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为3.5毫欧（@10V Vgs），可显著降低功率损耗。
该MOSFET具备优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现高效率和高频操作。其采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在紧凑空间内出色的热管理和可靠性。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等中高功率应用的理想开关解决方案。
- 型号:STL130N6F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 13A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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