STP7N60M2技术参数详情：
STP7N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。一方面，导通电阻（Rds(on)）低至950毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗；另一方面，极低的栅极电荷（8.8nC）和输入电容确保了快速的开关瞬态，从而降低开关损耗。这些特性使其在高达150°C的结温下仍能保持高效稳定运行，非常适合用于提升开关电源和功率转换系统的整体能效与功率密度。
- 型号:STP7N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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