STW12NK80Z技术参数详情：
STW12NK80Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）额定值，以及10.5A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点体现在优异的动态与静态性能平衡上：导通电阻（Rds(on)）低至750毫欧（@10V, 5.25A），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为87nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率和高可靠性的开关电源、电机驱动及工业电源系统的理想选择。
- 型号:STW12NK80Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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