STL140N4F7AG技术参数详情：
STL140N4F7AG是ST意法半导体基于STripFET技术开发的一款车规级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET。该器件在40V漏源电压（Vdss）下，可提供高达120A（Tc）的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为2.5毫欧（@10V， 16A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。
此外，器件具备29nC（@10V）的低栅极电荷和2300pF的输入电容，有利于实现高效的开关操作并降低驱动损耗。其采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，优化了散热与空间占用，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛的汽车电子环境中的高可靠性与稳定性。
- 型号:STL140N4F7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:111W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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