STL15N3LLH5技术参数详情：
STL15N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用先进的沟槽工艺制造，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，可支持高达15A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值低至毫欧级）和优化的栅极电荷，旨在最大限度地降低传导与开关损耗。
器件采用节省空间的PowerFlat表面贴装封装，具有良好的热性能，适用于高功率密度设计。其驱动门槛电压（Vgs(th)）设计适用于标准逻辑电平控制，主要面向高效率DC-DC转换、电机驱动及电源管理应用。请注意，该产品目前已标记为停产状态。
- 型号:STL15N3LLH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 现在可以订购STL15N3LLH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
