STL16N60M6技术参数详情：
STL16N60M6是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat HV封装的高压N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于表面贴装应用，核心额定参数包括600V的漏源电压和8A的连续漏极电流（Tc=25°C），为高压开关电路提供了坚实的性能基础。
其技术价值在于，通过优化的芯片架构，在高压条件下实现了较低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。紧凑的PowerFlat（5x6）HV封装在保证散热能力的同时，显著节省了电路板空间，使其成为对功率密度和可靠性有较高要求的工业与消费类电源解决方案的理想选择。
- 型号:STL16N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:-
- 技术:-
- 漏源电压（Vdss）:-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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