STL16N65M2

STL16N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件设计用于高压、高效率的开关应用，核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）与低至395mΩ的导通电阻（RDS(on)）相结合，有效降低了导通损耗。

其技术亮点还包括极低的栅极电荷（Qg，最大值19.5nC @ 10V），这确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适合高频工作模式。器件采用表面贴装式PowerFlat HV封装，在提供高达7.5A连续电流能力的同时，兼顾了优异的散热性能和紧凑的布局需求，适用于对功率密度和可靠性要求严苛的工业与消费类电源解决方案。

• 型号:STL16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:395 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:56W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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