STL17N3LLH6技术参数详情：
STL17N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI和DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件在30V漏源电压下可支持高达17A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为4.5毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗。
此外，器件具备优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC，结合较低的栅极阈值电压，确保了快速、高效的开关动作，有助于提升开关电源等应用的频率和效率。该MOSFET采用紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对空间和热管理有严格要求的高密度功率设计。
- 型号:STL17N3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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