STL17N65M5技术参数详情：
STL17N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用先进的垂直结构技术，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至374毫欧（@5.5A，10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，旨在显著降低功率转换应用中的传导损耗。
其技术参数针对高效率开关进行了优化，具备极低的栅极电荷（典型值22nC）和输入电容，这有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件采用散热性能优异的PowerFlat HV表面贴装封装，在壳温（Tc）条件下可支持高达70W的功率耗散和10A的连续漏极电流，确保了在高功率密度设计中的可靠运行与热稳定性。
- 型号:STL17N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Ta），10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:374 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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