VNLD5090TR-E技术参数详情：
VNLD5090TR-E是ST意法半导体OMNIFET III系列的一款双通道智能功率开关，采用先进的VIPower单片集成技术。该器件集成了两个独立的N沟道功率MOSFET，每个通道可提供高达13A的输出电流，典型导通电阻仅为90毫欧，能效出色，且无需外部供电电压（Vcc/Vdd）。
它通过简单的开/关逻辑接口进行控制，并内置了全面的诊断与保护功能，包括状态标志输出、自动重启、固定限流、开路负载检测、过温及过压保护等。其设计支持最大36V的负载电压，工作温度范围覆盖-40°C至150°C，采用8-SO表面贴装封装，为汽车和工业应用中的高可靠性负载驱动与电源管理提供了优化的解决方案。
- 型号:VNLD5090TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:13A
- 导通电阻（典型值）:90 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:自动重启，状态标志
- 故障保护:限流（固定），开路负载检测，超温，过压，UVLO
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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