STL180N6F7

STL180N6F7是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅技术制造。该器件额定漏源电压为60V，在壳温条件下可连续通过高达120A的电流，其关键优势在于极低的导通电阻（典型值2.4mΩ @ 10V, 16A），能显著降低传导损耗。

它采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，支持高达166W（Tc）的功率耗散，并具备-55°C至175°C的宽工作结温范围。低栅极电荷（79.5nC @ 10V）确保了快速的开关速度，适用于高频开关应用。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效率DC-DC转换器等应用的理想选择。

• 型号:STL180N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Ta），120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:79.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4825 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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