STL18N55M5

STL18N55M5是意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款550V N沟道功率MOSFET，采用PowerFlat HV表面贴装封装。该器件在紧凑的尺寸内实现了优异的性能平衡，其导通电阻（Rds(on)）低至270毫欧（@10V，6A），栅极电荷（Qg）仅为31nC，有助于显著降低开关损耗和导通损耗，提升整体电源效率。

该MOSFET具备2.4A（环境温度）至13A（壳温）的连续电流处理能力，最大功率耗散达90W（壳温），工作结温高达150°C，确保了在高压、高功率应用中的稳定性和可靠性。其设计特别适用于要求高功率密度和高效率的开关电源拓扑，是离线式电源、LED驱动及工业电源系统中初级侧开关的理想选择。

• 型号:STL18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
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