STGB3NC120HDT4技术参数详情：
STGB3NC120HDT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的1200V、14A IGBT，集成快速恢复二极管，采用D2PAK表面贴装封装。该器件在15V栅极电压、3A电流条件下，最大饱和压降仅为2.8V，实现了低导通损耗；同时，其开关能量（开/关：236J/290J）与栅极电荷（24nC）参数优异，确保了高效率的高频开关操作。
该IGBT设计坚固可靠，最大功耗75W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，集成的二极管反向恢复时间短至51ns。这些特性使其成为工业级开关电源、PFC电路、UPS以及电机驱动等应用中，追求高功率密度和高可靠性的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGB3NC120HDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 1200V 14A TO-263
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:14 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:75 W
- 开关能量:236J（导通），290J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:24 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/118ns
- 测试条件:800V，3A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):51 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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