STL20NM20N技术参数详情：
STL20NM20N是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件采用先进的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在紧凑的尺寸下提供了优异的散热能力。
其核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），能够满足中高功率应用的需求。关键优势在于其105毫欧的低导通电阻（@10A,10V）与仅50nC的栅极电荷（@10V）的出色组合，这共同实现了低传导损耗与高效率开关的平衡，特别适用于提升开关电源和电机驱动等应用的能效与功率密度。
- 型号:STL20NM20N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 20A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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