STL210N4F7AG技术参数详情：
STL210N4F7AG是ST意法半导体推出的AEC-Q101车规级N沟道功率MOSFET，采用STripFET F7技术。其核心优势在于极低的功率损耗，表现为在10V驱动下仅1.6毫欧的导通电阻（Rds(On)）和43nC的栅极电荷（Qg），这共同确保了高效率的功率转换与快速的开关性能。
该器件额定参数为40V漏源电压与120A连续漏极电流，采用热增强型PowerFlat表面贴装封装，工作结温高达175°C，专为应对汽车和工业应用中空间受限、散热要求高的高电流开关场景而优化，如电机控制、同步整流及各类DC-DC电源拓扑。
- 型号:STL210N4F7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 16A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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