STL23NS3LLH7

STL23NS3LLH7是ST意法半导体基于STripFET H7技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件在30V的漏源电压下，能够提供高达92A（Tc）的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（最大值3.7mΩ @ 10V）与极低的栅极电荷（最大值13.7nC @ 4.5V）的卓越组合。

这种特性组合使其成为高效率、高功率密度电源设计的优选。其采用紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）表面贴装封装，具有良好的热性能，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于空间受限且要求高可靠性的工业与通信应用。

• 型号:STL23NS3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):92A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2100 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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