STL24NM60N技术参数详情：
STL24NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的表面贴装PowerFlat HV（8x8）封装，核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）与低至215毫欧（@10V，8A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
其电气参数针对高频开关应用进行了优化，最大栅极电荷（Qg）仅为46nC，有助于实现快速的开关切换并简化驱动设计。器件在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流（Id）额定值高达16A，最大结温（Tj）为150°C，配合优异的封装热性能，确保了在高功率应用中的稳定运行与长寿命可靠性。
- 型号:STL24NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta），16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:215 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Ta），125W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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