STP170N8F7

STP170N8F7是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件设计用于高效功率转换，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、60A I_D条件下最大值仅为3.9mΩ，配合120A的连续漏极电流能力，可显著降低传导损耗。

此外，该MOSFET具备80V的漏源击穿电压和优化的栅极电荷（典型值120nC @ 10V），有助于实现快速的开关动作并减少驱动损耗。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗250W，确保了在高功率密度应用及苛刻环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:STP170N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8710 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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