STL260N3LLH6

STL260N3LLH6是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET H6产品系列。该器件采用PowerFlat（5x6）封装，专为需要极高电流处理能力和最低导通损耗的应用而优化。

其核心电气参数表现卓越：漏源电压（V_{DSS）为30V，在壳温条件下连续漏极电流（ID）高达260A。最显著的优势在于其极低的导通电阻，在10V VGS下典型值仅为1.3毫欧，这能显著降低功率传导损耗。同时，优化的栅极电荷（QG）有助于实现高效的开关性能。}

这些特性使其成为同步整流、高密度DC-DC电源转换以及大电流电机驱动等应用的理想选择，能够在提升系统效率的同时满足紧凑的布局要求。

• 型号:STL260N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6375 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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