STL26N60DM6

STL26N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件采用先进的PowerFlat HV（8x8）表面贴装封装，核心参数包括600V漏源电压（V_DSS）和15A的连续漏极电流（I_D），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至215毫欧（@7.5A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_G，最大值24nC @10V）和输入电容（C_iss）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为追求高能效和高功率密度设计的理想选择。

• 型号:STL26N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:215 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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