STL2N80K5

STL2N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5技术平台。该器件核心优势在于其800V的高漏源耐压与优化的动态特性相结合，为高压开关应用提供了可靠的性能基础。

其技术参数体现了高效能设计：2A的连续漏极电流与较低的导通电阻确保了较低的导通损耗。同时，极低的栅极电荷（典型值3nC）和输入电容显著降低了开关损耗，支持更高频率的开关操作，有助于提升电源系统的功率密度。器件采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够在紧凑空间和严苛环境下稳定工作。

• 型号:STL2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:33W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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