STL30N10F7技术参数详情：
STL30N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进DeepGATE技术的STripFET VII产品系列。该器件额定值为100V漏源电压和30A连续漏极电流，核心优势在于其极低的导通电阻（35毫欧 @ 10V）与极低的栅极电荷（14nC @ 10V），这共同确保了在高频开关应用中兼具低传导损耗与低开关损耗。
其采用热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，工作结温范围宽至-55°C至175°C，功耗能力达75W。这些参数使其成为高效率DC-DC转换、同步整流及电机控制等应用的可靠解决方案，在提升系统功率密度的同时保障了运行的稳定性。
- 型号:STL30N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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