STL33N60DM2技术参数详情：
STL33N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压（VDSS）下，实现了低至140毫欧（最大值，@10V， 10.5A）的导通电阻，并结合21A（Tc）的高连续电流能力，显著降低了高压开关应用中的传导损耗。
其采用热增强型PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达150W（Tc）的功率耗散，确保了在-55°C至150°C结温范围内的可靠工作。较低的栅极电荷（Qg）有助于提升开关效率并简化驱动设计。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和高效AC-DC转换器等应用的理想选择，旨在提升系统功率密度和整体能效。
- 型号:STL33N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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