NAND256W3A0AN6技术参数详情：
NAND256W3A0AN6是ST意法半导体生产的一款256Mb容量并行NAND闪存存储器，采用32M x 8位的组织架构。该芯片提供50ns的快速页写入和访问时间，配合其并行接口，可实现高效的数据传输速率。
器件工作电压为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的宽温度范围，满足工业级应用的环境要求。其采用48-TFSOP表面贴装封装，适用于需要板载大容量非易失性存储的各类嵌入式系统设计。
- 型号:NAND256W3A0AN6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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