STL33N60M2

STL33N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh II Plus系列。该器件采用PowerFlat HV（8x8）表面贴装封装，核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于优异的导通与开关性能平衡：最大导通电阻低至135毫欧，有助于最小化导通损耗；同时，47nC的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些特性使其在提升系统能效和功率密度方面表现突出，工作结温高达150°C，保证了在恶劣环境下的可靠运行。

• 型号:STL33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:135 毫欧 @ 10.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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