STU9N65M2

STU9N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh产品系列。该器件核心规格为650V漏源电压（Vdss）与5A连续漏极电流（Id），采用IPAK（TO-251）通孔封装。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现优异，同时极低的栅极电荷（Qg）有助于降低驱动损耗并提升开关频率，适用于对效率有较高要求的功率转换拓扑。

• 型号:STU9N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU9N65M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。