STL33N60M6

STL33N60M6是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat HV封装的高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（V_DSS）和21A（T_C=25°C）的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点集中体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值低至137mΩ，有效降低了导通损耗。同时，栅极电荷（Q_g）最大值仅为33.4nC，这有助于实现快速开关并降低驱动损耗，从而提升整体系统效率。该MOSFET采用表面贴装设计，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于对空间和温度要求苛刻的功率转换场景。

• 型号:STL33N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET 600V 21A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:137毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1515 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL33N60M6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。